MEMORIA RAM

MEMORIA RAM
” Memoria de Acceso Aleatorio” es donde el ordenador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a la información que está en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la información anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantemente mientras el ordenador está en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador se apaga.


MODULOS DE MEMORIA RAM

SIPP:, totalmente obsoletos desde los 386 (estos ya usaban SIMM mayoritariamente).

SIMM : de 30 contactos, tecnología en desuso, existen adaptadores para aprovecharlas y usar 4 de estos módulos como uno de 72 contactos. Existen de 256 Kb, 512 Kb (raros), 1, 2 (raros), 4, 8 y 16 Mb

DIMM : más alargados (unos 13 cm), con 168 contactos y en zócalos generalmente negros. Pueden manejar 64 bits de una vez. Y podríamos añadir los módulos SIP, que eran parecidos a los SIMM pero con frágiles patitas soldadas y que no se usan desde hace bastantes años, o cuando toda o parte de la memoria viene soldada en la placa (caso de algunos ordenadores de marca).


TIPOS DE MEMORIA RAM

a). DRAM: es una de las mas lentas Usada hasta la época del 386, su velocidad de refresco típica es de 80 ó 70 nanosegundos (ns), tiempo éste que tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, la más rápida es la de 70 ns y tiene una capacidad de 30 contactos.

b). EDO RAM: Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo, lo que la hace algo más rápida.Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con refrescos de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMM de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMM de 168

C. BEDO RAM: Fue diseñada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es
capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior, sino a ráfagas (bursts), reduciendo,
aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador
para escribir o leer datos de memoria.

D).SDRAM: Sincronic-RAM. Es un tipo síncrono de memoria, que, lógicamente, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los tipos anteriores. Sólo se presenta en forma de DIMM de 168 contactos; es la opción para ordenadores nuevos.

E). SDR-SDRAM: Originalmente conocido simplemente como SDRAM tipo de datos solo puede aceptar un comando y la transferencia de una palabra de datos por ciclo de reloj. Las frecuencias de reloj típicas son 100 y 133 MHz Chips están hechos con una variedad de tamaños de bus de datos (el más común 4, 8 ó 16 bits), pero los chips son generalmente montados en módulos DIMM de 168-pines que leen o escriben 64 (non-ECC) o 72 (ECC) de bits a la vez.

F). DDR SDRAM: a veces llamado DDR1 para mayor claridad) se duplica la mínima unidad de lectura o escritura, y cada acceso se refiere a al menos dos términos consecutivos la velocidades de reloj son 133, 166 y 200 MHz (7,4, 6, y 5 ns / ciclo), generalmente descrito como DDR-266, DDR-333 y DDR-400 (3.75, 3, y 2,5 ns por golpe). Correspondiente de 184-pines

G). DRDRAM: es una memoria de bus de 16 bits que opera a velocidades
de reloj de 400 MHz y funciona con ambos flancos ascendente y descendente del
pulso del reloj del microprocesador. Gracias a que transfiere dos
palabras de datos por cada ciclo del reloj del sistema, tiene un ancho de banda teórico de 1.6 Gbytes/segundo

H). SLDRAM: El diseño de la memoria SLDRAM mejora el rendimiento corriendo con un bus de 64 bits a velocidad de reloj de 200 MHz y con transferencia de datos con el flanco de subida y el flanco de bajada del reloj del sistema, lo cual genera una velocidad efectiva de 400 MHz Esto le permite a la memoria SLDRAM tener un ancho de banda (bandwidth) teórico de 3.2 Gbytes/segundo, el doble de la memoria DRDRAM.

I). FPM DRAM: El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leído pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso, cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanosegundos e incluso más.

J). FPM DRAM: Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que, a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.


K). EDRAM: es una memoria RAM que tiene incluida una poca cantidad
de memoria SRAM (estática) dentro del conjunto de la mucha DRAM (dinámica) para mejorar el tiempo de respuesta a la memoria principal. Ocasionalmente se utiliza como memoria caché L1 y L2, y algunas veces se le conoce como DRAM cacheada.

L). ESDRAM: .
es un reemplazo económico para la SRAM
M). VRAM :(Video Random Access Memory)
es una memoria diseñada específicamente para ser utilizada en tarjetas de vídeo

N)SGRAM: (Synchronous Graphic Random Access Memory) es un tipo de DRAM usado originalmente en tarjetas de vídeo y aceleradoras gráficas.

O). WRAM: (Windows Random Access Memory) es un diseño de memoria de vídeo que soporta dos puertos, lo que le permite a la tarjeta de vídeo dirigir el contenido de la memoria a la pantalla y al mismo tiempo recibir nuevos bytes.

p). SO-RIMM: (Small Outline Rambus Inline Memory Module) es un tipo de memoria para computadoras portátiles (laptop) diseñada por la compañía Rambus.